报告题目(中文)：新型半导体材料之冶金制备途径的探索

报告内容简介：碳化硅单晶作为宽禁带半导体材料的代表，具有宽禁带、高击穿电场、高热导率和高饱和电子漂移速率，是高温、大功率、低损耗器件所必须的第三代半导体材料，也是制作光电子器件最有前景的半导体材料之一。作者在多年从事硅冶金的基础研究基础上，借鉴冶金方法提出制备参杂SiC单晶的方法。并且，具有许多传统的物理气相传输法(PVT)没有的优点。对应用这个新材料制备新型LED进行了探索。利用高温冶金方法，实验室探索了制备超纯超细SiC的新方法。结合最新的研究热点，提出了利用冶金法制备得到的SiC晶体，直接由太阳能制备氢气的新课题。

报告人姓名：唐恺

报告人简介(中文)：• 1983年8月-1992年8月：浙江省冶金研究院，主要从事钢铁冶金和电子钎焊材料的应用研究和开发工作，其中开发的AgCuP焊带在全国首次替代进口用于高级二极管的生产(1989-1991)。1986年获工程师职称。 • 1992年9月-1997年12月：在上海大学冶金及材料工程系就读硕士和博士研究生期间，还兼职多项科研项目的研究，如上海申佳铁合金公司的原料高温性能的测试以及矿物特性的鉴定等若干技术课题。 • 1998年1月-2000年2月：北京科技大学冶金物理化学系博士后流动站，与中科院院士周国治合作，从事冶金熔体物化性质的理论预报工作，1999年获副研究员职称。 • 2000年3月-2001年12月：挪威科技大学（NTNU）材料技术学院客座研究员。与S.Olsen教授合作，主要从事与铁合金生产有关的高温熔体热化学模型研究，并应用理论模型对生产实际过程的预报。 • 2002年1月至今：挪威科学工业技术研究院（SINTEF Materials and Chemistry），高级研究员。主要从事冶金热化学和过程动力学、冶金熔体表面性质等方面的研究。近年来，主要的研究方向还拓展至硅材料的制备理论、工艺优化及其在光伏应用方面的研究。 • 发表期刊论文百余篇，专著两部。

报告人单位(中文)：挪威SINTEF

报告人单位(英文)：SINTEF, Norway

报告时间：2016-09-28 10:00

报告地点：日新楼410